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Intel三大關(guān)鍵領(lǐng)域新突破 晶體管縮小50％封裝密度提升10倍

來源：快科技

在日前的2021 IEEE IDM(國際電子器件會(huì)議)上，Intel公布、展示了在封裝、晶體管、量子物理學(xué)方面的關(guān)鍵技術(shù)新突破，可推動(dòng)摩爾定律繼續(xù)發(fā)展，超越未來十年。

據(jù)介紹，Intel的組件研究團(tuán)隊(duì)致力于在三個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域進(jìn)行創(chuàng)新：

一是通過研究核心縮放技術(shù)，在未來產(chǎn)品中集成更多晶體管。

Intel計(jì)劃通過混合鍵合(hybrid bonding)，解決設(shè)計(jì)、制程工藝、組裝難題，將封裝互連密度提升10倍以上。

今年7月的時(shí)候，Intel就公布了新的Foveros Direct封裝技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)10微米以下的凸點(diǎn)間距，使3D堆疊的互連密度提高一個(gè)數(shù)量級。

未來通過GAA RibbonFET晶體管、堆疊多個(gè)CMOS晶體管，Intel計(jì)劃實(shí)現(xiàn)多達(dá)30-50％的邏輯電路縮放，在單位面積內(nèi)容納更多晶體管。

后納米時(shí)代，也就是埃米時(shí)代，Intel將克服傳統(tǒng)硅通道的限制，用只有幾個(gè)原子厚度的新型材料制造晶體管，可在每個(gè)芯片上增加數(shù)百萬各晶體管。

二是新的硅技術(shù)。

比如在300毫米晶圓上首次集成基于氮化鎵的功率器件、硅基CMOS，實(shí)現(xiàn)更高效的電源技術(shù)，從而以更低損耗、更高速度為CPU供電，同時(shí)減少主板組件和占用空間。

比如利用新型鐵電體材料，作為下一代嵌入式DRAM技術(shù)，可提供更大內(nèi)存容量、更低時(shí)延讀寫。

三是基于硅晶體管的量子計(jì)算、室溫下進(jìn)行大規(guī)模高效計(jì)算的全新器件，未來有望取代傳統(tǒng)MOSFET晶體管。

比如全球首例常溫磁電自旋軌道(MESO)邏輯器件，未來有可能基于納米尺度的磁體器件制造出新型晶體管。

比如Intel和比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)在自旋電子材料研究方面的進(jìn)展，使器件集成研究接近實(shí)現(xiàn)自旋電子器件的全面實(shí)用化。

比如完整的300毫米量子比特制程工藝流程，不僅可以持續(xù)縮小晶體管，還兼容CMOS制造流水線。

標(biāo)簽： Intel GPU市場 顯卡產(chǎn)品 價(jià)格優(yōu)勢

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